■ 제품필수정보

제조사	Onsemi
제조사품명	FGA30N65SMD
간략설명	onsemi FGA30N65SMD IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

■ 제품사양

Maximum Continuous Collector Current = 60 A Maximum Collector Emitter Voltage = 650 V Maximum Gate Emitter Voltage = ±20V Maximum Power Dissipation = 300 W
패키지 = TO-3PN
장착형태 = Through Hole Channel
타입 = N
핀수 = 3 Transistor Configuration = Single
크기 = 16.2 x 5 x 20.1mm
최소 작동 온도 = -55 °C Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor