■ 제품필수정보

제조사	Infineon
제조사품명	IPB60R165CPATMA1
간략설명	N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB60R165CPATMA1

■ 제품사양

Channel
타입 = N Maximum Continuous Drain Current = 21 A Maximum Drain Source Voltage = 650 V
패키지 = D2PAK (TO-263)
장착형태 = Surface Mount
핀수 = 3 Maximum Drain Source Resistance = 165 mΩ Channel Mode = Enhancement Maximum Gate Threshold Voltage = 3.5V Minimum Gate Threshold Voltage = 2.5V Maximum Power Dissipation = 192 W Transistor Configuration = Single Maximum Gate Source Voltage = -30 V, +30 V
칩당 요소 수 = 1
최소 작동 온도 = -55 °C Infineon CoolMOS??CP Power MOSFET