■ 제품필수정보

제조사	Toshiba
제조사품명	GT30J341,Q(O
간략설명	Toshiba GT30J341,Q(O IGBT, 59 A 600 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

■ 제품사양

Maximum Continuous Collector Current = 59 A Maximum Collector Emitter Voltage = 600 V Maximum Gate Emitter Voltage = ±25V Maximum Power Dissipation = 230 W
패키지 = TO-3PN
장착형태 = Through Hole Channel
타입 = N
핀수 = 3 Transistor Configuration = Single
크기 = 15.5 x 4.5 x 20mm
최대 작동 온도 = +175 °C IGBT Discretes, Toshiba