■ 제품필수정보

제조사	Toshiba
제조사품명	HN4B101J(TE85L,F)
간략설명	Toshiba HN4B101J(TE85L,F) Dual NPN + PNP Bipolar Transistor, 1.2 A, 30 V, 5-Pin SMV

■ 제품사양

Transistor
타입 = NPN + PNP Maximum DC Collector Current = 1.2 A Maximum Collector Emitter Voltage = 30 V
패키지 = SMV
장착형태 = Surface Mount Maximum Power Dissipation = 850 mW Transistor Configuration = Common Emitter Maximum Collector Base Voltage = -30 V, 50 V Maximum Emitter Base Voltage = 7 (NPN) V, -7 (PNP) V
핀수 = 5
칩당 요소 수 = 2
최대 작동 온도 = +150 °C Dual NPN/PNP Transistors, Toshiba