■ 제품필수정보

제조사	Toshiba
제조사품명	GT40QR21(STA1,E,D
간략설명	Toshiba GT40QR21(STA1,E,D IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin SC-65, Through Hole

■ 제품사양

Maximum Continuous Collector Current = 40 A Maximum Collector Emitter Voltage = 1200 V Maximum Gate Emitter Voltage = ±25V Maximum Power Dissipation = 230 W
패키지 = SC-65
장착형태 = Through Hole Channel
타입 = N
핀수 = 3 Switching Speed = 0.2µs Transistor Configuration = Single
크기 = 20 x 15.5 x 4.5mm
최대 작동 온도 = +175 °C IGBT Discretes, Toshiba