■ 제품필수정보
제조사 |
Vishay |
제조사품명 |
SIRA20BDP-T1-GE3 |
간략설명 |
Dual N-Channel MOSFET, 335 A, 25 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 |
■ 제품사양
Channel
타입 = N Maximum Continuous Drain Current = 335 A Maximum Drain Source Voltage = 25 V
패키지 = PowerPAK SO-8
장착형태 = Surface Mount
핀수 = 8 Maximum Drain Source Resistance = 0.00058 Ω Channel Mode = Enhancement Maximum Gate Threshold Voltage = 2.1V
칩당 요소 수 = 2
시리즈 = TrenchFET