■ 제품필수정보
| 제조사 |
Vishay |
| 제조사품명 |
SiR876BDP-T1-RE3 |
| 간략설명 |
Dual N-Channel MOSFET, 51.4 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 |
■ 제품사양
Channel
타입 = N Maximum Continuous Drain Current = 51.4 A Maximum Drain Source Voltage = 100 V
패키지 = PowerPAK SO-8
장착형태 = Surface Mount
핀수 = 8 Maximum Drain Source Resistance = 0.0108 Ω Channel Mode = Enhancement Maximum Gate Threshold Voltage = 2.4V
칩당 요소 수 = 2
시리즈 = TrenchFET
