■ 제품필수정보

제조사	Infineon
제조사품명	IPB011N04LGATMA1
간략설명	Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 180 A, 40 V, 7-Pin D2PAK Infineon IPB011N04LGATMA1

■ 제품사양

Channel
타입 = N Maximum Continuous Drain Current = 180 A Maximum Drain Source Voltage = 40 V
패키지 = TO-263-7
장착형태 = Surface Mount
핀수 = 7 Maximum Drain Source Resistance = 0.0011 O Channel Mode = Enhancement Maximum Gate Threshold Voltage = 2V
칩당 요소 수 = 2
시리즈 = OptiMOS 5