■ 제품필수정보

제조사	Vishay
제조사품명	SiZ250DT-T1-GE3
간략설명	Dual N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC Vishay SiZ250DT-T1-GE3

■ 제품사양

Channel
타입 = N Maximum Continuous Drain Current = 38 A Maximum Drain Source Voltage = 60 V
패키지 = PowerPAIR 3 x 3FDC
장착형태 = Surface Mount
핀수 = 8 Maximum Drain Source Resistance = 0.0122 Ω, 0.0127 Ω, 0.01811 Ω, 0.01887 Ω Channel Mode = Enhancement Maximum Gate Threshold Voltage = 2.4V
칩당 요소 수 = 2
시리즈 = TrenchFET® Gen IV