■ 제품필수정보

제조사	IXYS
제조사품명	IXXK110N65B4H1
간략설명	IXYS IXXK110N65B4H1 IGBT, 570 A 650 V, 3-Pin TO-264, Through Hole

■ 제품사양

Maximum Continuous Collector Current = 570 A Maximum Collector Emitter Voltage = 650 V Maximum Gate Emitter Voltage = ±20V Maximum Power Dissipation = 880 W
패키지 = TO-264
장착형태 = Through Hole Channel
타입 = N
핀수 = 3 Switching Speed = 10 ??30kHz Transistor Configuration = Single
크기 = 20.3 x 5.3 x 26.6mm
최대 작동 온도 = +175 °C IGBT Discretes, IXYS