■ 제품필수정보

제조사	IXYS
제조사품명	IXFN360N15T2
간략설명	N-Channel MOSFET, 310 A, 150 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN360N15T2

■ 제품사양

Channel
타입 = N Maximum Continuous Drain Current = 310 A Maximum Drain Source Voltage = 150 V
패키지 = SOT-227
장착형태 = Screw Mount
핀수 = 4 Maximum Drain Source Resistance = 4 mΩ Channel Mode = Enhancement Maximum Gate Threshold Voltage = 5V Minimum Gate Threshold Voltage = 2.5V Maximum Power Dissipation = 1.07 kW Maximum Gate Source Voltage = -20 V, +20 V
최대 작동 온도 = +175 °C
시리즈 = GigaMOS TrenchT2 HiperFET N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET??GigaMOS??
시리즈