HGT1S10N120BNST

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MPN : HGT1S10N120BNST

onsemi HGT1S10N120BNST IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

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■ 제품필수정보

제조사	Onsemi
제조사품명	HGT1S10N120BNST
간략설명	onsemi HGT1S10N120BNST IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

■ 제품사양

Maximum Continuous Collector Current = 80 A Maximum Collector Emitter Voltage = 1200 V Maximum Gate Emitter Voltage = ±20V Maximum Power Dissipation = 298 W
패키지 = D2PAK (TO-263)
장착형태 = Surface Mount Channel
타입 = N
핀수 = 3 Switching Speed = 1MHz Transistor Configuration = Single
크기 = 10.67 x 11.33 x 4.83mm
최소 작동 온도 = -55 °C Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor