■ 제품필수정보
제조사 |
Infineon |
제조사품명 |
BFR193E6327HTSA1 |
간략설명 |
Infineon BFR193E6327HTSA1 NPN Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23 |
■ 제품사양
Transistor
타입 = NPN Maximum DC Collector Current = 80 mA Maximum Collector Emitter Voltage = 12 V
패키지 = SOT-23
장착형태 = Surface Mount Maximum Power Dissipation = 580 mW Transistor Configuration = Single Maximum Collector Base Voltage = 20 V Maximum Emitter Base Voltage = 2 V Maximum Operating Frequency = 8 GHz
핀수 = 3
칩당 요소 수 = 1
최대 작동 온도 = +150 °C RF Bipolar Transistors, Infineon