■ 제품필수정보

제조사	Toshiba
제조사품명	GT40WR21,Q(O
간략설명	Toshiba GT40WR21,Q(O IGBT, 40 A 1800 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

■ 제품사양

Maximum Continuous Collector Current = 40 A Maximum Collector Emitter Voltage = 1800 V Maximum Gate Emitter Voltage = ±25V Maximum Power Dissipation = 375 W
패키지 = TO-3PN
장착형태 = Through Hole Channel
타입 = N
핀수 = 3 Transistor Configuration = Single
크기 = 15.5 x 4.5 x 20mm
최대 작동 온도 = +175 °C IGBT Discretes, Toshiba