■ 제품필수정보

제조사	Toshiba
제조사품명	GT20J341
간략설명	Toshiba GT20J341 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220SIS, Through Hole

■ 제품사양

Maximum Continuous Collector Current = 20 A Maximum Collector Emitter Voltage = 600 V Maximum Gate Emitter Voltage = ±25V Maximum Power Dissipation = 45 W
패키지 = TO-220SIS
장착형태 = Through Hole Channel
타입 = N
핀수 = 3 Switching Speed = 100kHz Transistor Configuration = Single
크기 = 10 x 4.5 x 15mm
최대 작동 온도 = +150 °C IGBT Discretes, Toshiba