■ 제품필수정보

제조사	Infineon
제조사품명	IGT60R190D1SATMA1
간략설명	Silicon N-Channel MOSFET, 12.5 A, 600 V, 8-Pin HSOF-8 Infineon IGT60R190D1SATMA1

■ 제품사양

Channel
타입 = N Maximum Continuous Drain Current = 12.5 A Maximum Drain Source Voltage = 600 V
패키지 = HSOF-8
장착형태 = Surface Mount
핀수 = 8 Maximum Drain Source Resistance = 0.19 Ω Channel Mode = Enhancement Maximum Gate Threshold Voltage = 1.6V
칩당 요소 수 = 1
시리즈 = CoolGaN