■ 제품필수정보

제조사	Infineon
제조사품명	IPD80R1K4CEATMA1
간략설명	N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K4CEATMA1

■ 제품사양

Channel
타입 = N Maximum Continuous Drain Current = 3.9 A Maximum Drain Source Voltage = 800 V
패키지 = DPAK (TO-252)
장착형태 = Surface Mount
핀수 = 3 Maximum Drain Source Resistance = 1.4 Ω Maximum Gate Threshold Voltage = 3.9V
칩당 요소 수 = 1
시리즈 = CoolMOS CE