■ 제품필수정보
| 제조사 |
Vishay |
| 제조사품명 |
SIHB105N60EF-GE3 |
| 간략설명 |
N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB105N60EF-GE3 |
■ 제품사양
Channel
타입 = N Maximum Continuous Drain Current = 29 A Maximum Drain Source Voltage = 600 V
패키지 = D2PAK (TO-263)
장착형태 = Surface Mount
핀수 = 3 Maximum Drain Source Resistance = 0.102 Ω Channel Mode = Enhancement Maximum Gate Threshold Voltage = 5V
칩당 요소 수 = 1
시리즈 = SiHB105N60EF
