■ 제품필수정보
| 제조사 |
Vishay |
| 제조사품명 |
SQD10950E_GE3 |
| 간략설명 |
N-Channel MOSFET, 11.5 A, 250 V, 3-Pin DPAK Vishay SQD10950E_GE3 |
■ 제품사양
Channel
타입 = N Maximum Continuous Drain Current = 11.5 A Maximum Drain Source Voltage = 250 V
패키지 = DPAK (TO-252)
장착형태 = Surface Mount
핀수 = 3 Maximum Drain Source Resistance = 0.18 Ω, 0.162 Ω Channel Mode = Enhancement Maximum Gate Threshold Voltage = 3.5V
칩당 요소 수 = 1
시리즈 = AEC-Q101, Automotive, TrenchFET®
