상품이미지
  •  상품이미지

MPN : TIP110G

onsemi TIP110G NPN Darlington Transistor, 5 A dc 60 V dc HFE:500, 3-Pin TO-220
  • 브랜드

    Onsemi

  • 무원상품코드

    M010957009666

  • 타입별
    EA
  • 주문가능수량

    350

  • 최소주문수량25
  • 판매단위25
  • 제품정보 데이터시트
  • 배송정보
    (영업일 기준)
    배송정보:8~9일배송
  • 특이사항 반품불가안내
구매수량 :

*대량구매해택
  • 수량단가1 : 25개 ~ 784원

  • 수량단가2 : 125개 ~ 775원


총금액
(VAT 별도)
  • 상품정보
  • 상품후기
  • 상품문의
  • 배송/AS안내

해외배송상품 주의사항

■ 제품필수정보

제조사 Onsemi
제조사품명 TIP110G
간략설명 onsemi TIP110G NPN Darlington Transistor, 5 A dc 60 V dc HFE:500, 3-Pin TO-220

■ 제품사양

Transistor
타입 = NPN Maximum Continuous Collector Current = 5 A dc Maximum Collector Emitter Voltage = 60 V dc Maximum Emitter Base Voltage = 5 V dc
패키지 = TO-220
장착형태 = Through Hole
핀수 = 3 Transistor Configuration = Single
칩당 요소 수 = 1 Minimum DC Current
이득 = 500 Maximum Collector Base Voltage = 60 V dc Maximum Collector Emitter Saturation Voltage = 2.5 V dc
높이 = 15.75mm The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The TIP110, TIP111, TIP112 (NPN), TIP115, TIP116, TIP117 (PNP) are complementary devices.High DC Current
이득 - hFE = 2500 (typ) @ IC = 1.0 Adc Collector-Emitter Sustaining Voltage @ 30 mA VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) TIP110, TIP115 VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) TIP111, TIP116 VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) TIP112, TIP117 Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC= 2.0 Adc = 4.0 Vdc (Max) @ IC= 5.0 Adc Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors Compact TO-220 AB Package

순번
분류
제목
작성자
날짜
데이터 없음 ...
순번
답변 상태
제목
작성자
날짜
1
신청 접수
2025-08-21
2
신청 접수
2025-08-21
3
신청 접수
2025-08-18
4
신청 접수
2025-06-09
5
답변 완료
2025-05-14
6
신청 접수
2025-04-04
9
답변 완료
2025-02-26
10
신청 접수
2024-11-01
11
신청 접수
2024-10-31
12
답변 완료
2024-10-24
13
신청 접수
2024-10-21
14
신청 접수
2024-05-27
16
답변 완료
2024-05-13
17
답변 완료
2024-04-16
18
답변 완료
2023-12-08
19
답변 완료
2023-11-21
상품정보이미지