■ 제품필수정보

제조사	Toshiba
제조사품명	GT50JR22
간략설명	Toshiba GT50JR22 IGBT, 50 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

■ 제품사양

Maximum Continuous Collector Current = 50 A Maximum Collector Emitter Voltage = 600 V Maximum Gate Emitter Voltage = ±25V Maximum Power Dissipation = 230 W
패키지 = TO-3P
장착형태 = Through Hole Channel
타입 = N
핀수 = 3 Switching Speed = 1MHz Transistor Configuration = Single
크기 = 15.5 x 4.5 x 20mm
최대 작동 온도 = +175 °C IGBT Discretes, Toshiba